在2009年的1月份，40nm级别的DRAM内存芯片正式发布，当时别誉为到了开发的极限。不过时隔2年后，三星发布了30nm级别DRAM，目前已经登陆国内市场。
30纳米级指的是，半导体元件基板电路间的连线宽度为30纳米，与40纳米或50纳米级别相比，能在同样的空间中容纳更多的电路。此外，生产效率方面比40纳米DRAM内存芯片率提高60%；成本竞争力比50纳米和60纳米DRAM内存芯片提高至少两倍以上；耗电量方面与50纳米和40纳米DRAM内存芯片相比，分别减少了30%和15%以上。
三星金条笔记本SODDR3 1333/2G正反面共搭载8颗30纳米颗粒内存芯片(颗粒编号M471B5673DZ0-CH9)，默认频率为PC3 10600S，等效于1333MHz；采用成熟的FBGA封装模式焊接，有效保证元件稳定运行，同时将性能发挥至极限，默认CL值为9-9-9，达到业内默认状态的最高水平，而1.5V的默认电压也远低于上一代DDR2产品，发热和产品能耗等方面显著降低。
全速运行状态下功耗小于3W，节能效果显著，相比于50nm工艺级产品最多可节省30%的功耗，是新一代绿色内存(Green DRAM)。
观点：
随着存储技术的不断发展，如今30nm已经走进了我们的身边。新一代技术的应用带来了更高的频率和更低的功耗，相信不久就会有超低电压版出现，这样的产品在大规模部署存储的服务器上节能效果更加明显，值得期待。
